고전압 증폭기 IC
고전압 범용 연산 증폭기(op amp)
BCD 공정으로 설계한 고전압 범용 op amp로, 압전·액추에이터 구동, 계측, 높은 동상 전압 환경의 측정을 목표로 합니다.
- 공급 전압: ±4 V ~ ±40 V
- 출력 스윙: ±40 V 전원에서 ±37 V
- 단위 이득 대역폭: 1 MHz
설계 및 제품
고전압 증폭기, 게이트 드라이버 IC, 모터 및 액추에이터 드라이버 IC.
설계 포트폴리오
카테고리별 설계를 살펴보고 각 상세 페이지에서 설계 목표와 동작 참고사항을 확인하세요.
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고전압 증폭기 IC
고전압 용량성 부하 증폭기
작은 용량성 부하를 위한 고전압 아날로그 증폭기 설계입니다. 광학 MEMS 미러 제어는 가능한 적용 분야입니다.
- 출력 목표: 전원 여유가 확보된 조건에서 단극성 최대 200 V
- 소스 / 싱크 목표: 150 / 40 µA (작은 정전 용량 충전·방전 목표)
- 용량성 부하 목표: 200 pF
고전압 증폭기 IC
고전압 샘플-앤-홀드 증폭기 회로
전압을 샘플링해 유지한 뒤, 유지된 신호를 양의 고전압 출력으로 증폭하는 아날로그 회로입니다. 의도한 유지 전압을 위해 주기적인 갱신이 필요합니다.
- 샘플-앤-홀드 및 고전압 증폭기 회로 설계
- 출력 목표: 300 V 고전압 레일에서 최대 295 V
- 용량성 부하 목표: 출력당 0–3 nF
고전압 증폭기 IC
100 V급 연산 증폭기
출력 활성화 제어와 별도의 제어 공통 기준 단자를 갖춘 고전압 아날로그 증폭기 설계입니다.
- 전원 목표: 전체 전압 10–100 V
- 출력 전류 목표: ±50 mA급, 열적 한계 적용
- 단위 이득 안정성 및 소신호 대역폭 2.5 MHz 목표
고전압 증폭기 IC
60 V급 고전류 연산 증폭기
단위 이득 안정성과 열 상태 확인 기능을 갖춘 고전류 아날로그 증폭기 설계입니다.
- 전체 전원 전압 60 V급 목표; 동작 여유 검토 필요
- 연속 출력 전류 목표: ±200 mA, 열적 한계 적용
- 단위 이득 안정성 및 이득 대역폭 곱 3 MHz 목표
고전압 증폭기 IC
80 V급 5 A 전력 연산 증폭기
외부에서 전류 제한값을 설정할 수 있는 고전류 아날로그 증폭기 설계입니다.
- 전체 전원 전압 80 V급 목표; 동작 여유 필요
- 연속 출력 전류 5 A 목표; 열적 한계와 안전 동작 영역 적용
- 외부 저항으로 전류 제한값 설정
고전압 증폭기 IC
60 V급 3 A 전력 연산 증폭기
조정 가능한 전류 제한과 활성화/상태 인터페이스를 갖춘 전력 아날로그 증폭기 설계입니다.
- 전체 전원 전압 목표: 8–60 V; 동작 여유 필요
- 연속 출력 전류 3 A 목표; 열적 한계와 안전 동작 영역 적용
- 출력 활성화/비활성화 및 열 상태 확인 인터페이스
게이트 드라이버 IC
3상 MOSFET 게이트 드라이버 IC
외부 N채널 전력 MOSFET으로 구성한 3상 브리지의 게이트를 제어하는 설계입니다.
- 3상 구동용 게이트 출력 6개
- 스위칭 노드 전압 등급 목표: 80 V
- 저항으로 설정하는 데드타임
게이트 드라이버 IC
풀브리지 MOSFET 게이트 드라이버 IC
외부 풀브리지용 비교기 제어 게이트 구동 설계로, 상측과 하측의 턴온 지연을 각각 설정합니다.
- 게이트 구동 구성 목표: 외부 MOSFET 게이트 4개
- 스위칭 노드 80 V급 목표; 온도 및 과도 전압 여유 필요
- 하이사이드와 로우사이드의 개별 턴온 지연 목표
모터 및 액추에이터 드라이버 IC
3상 모터 드라이버 IC
브러시리스 DC 모터와 기타 유도성 부하를 위한 3상 전력 드라이버 설계입니다.
- 전력 하프브리지 3개 통합
- 전력단 전압 등급 목표: 60 V
- 외부 펄스 폭 변조(PWM) 명령 6개
모터 및 액추에이터 드라이버 IC
전력 H브리지 통합 모터 드라이버 IC
방향·브레이크·PWM 제어, 소스 전류 검출 및 열 경고 출력을 갖춘 모터 전력 H브리지 통합 설계입니다.
- 전력단 통합 목표: H브리지 1개
- 공급 전압 목표: 12–55 V, 과도 전압 여유 필요
- 연속 출력 전류 목표: 3 A급, 열적 한계 적용
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반도체 설명용 사진: Jason Leung / Unsplash.