하나의 절연 장벽, 서로 다른 네 가지 게이트 구동 문제
절연 정격 비교표와 데이터시트 읽기 예시를 추가했습니다.
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반도체 설계, 제조, 공급망에 대한 기술 분석과 실무 관점을 공유합니다.
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800 VDC에서 핫스왑은 AI 랙의 아날로그 제어 평면이 된다
기술 분석과 응용 사진을 업데이트했습니다.
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2026-10-27
200mm SiC: 더 큰 웨이퍼가 비용, 수율, 공급사 적격성 평가에 의미하는 것
200mm SiC 웨이퍼의 면적은 150mm의 약 1.78배이지만 구매자가 지불하는 것은 합격 소자입니다. 합격 다이당 비용을 비교하는 방법과 공급사에 요구할 근거를 정리했습니다.
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2026-10-26
전기차 구동 배터리 보호: 프리차지, 접촉기, 고장 차단
전기차 구동 배터리 팩이 인버터에 안전하게 연결되고, 문제가 생겼을 때 연결을 끊는 과정을 다룹니다. 프리차지, 접촉기, 퓨즈, 파이로 차단기, 드라이버, 차단 뒤에 남는 에너지까지 살펴봅니다.
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2026-10-24
SiC와 GaN 고장 분석: 자르기 전에 증거부터 보존하세요
가상의 고장 컨버터 사례로, SiC와 GaN 고장 분석이 왜 증거 보존, 질문에 맞는 분석 방법 선택, 패키지를 열거나 절단하기 전에 합의된 보류 지점에서 시작해야 하는지 설명합니다.
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2026-10-22
전류 값이 틀려 보일 때: 고속 스위칭 전력 회로 옆의 아날로그 전류 감지
모터 인버터 스위칭 순간 전류 감지 출력이 튑니다. 측정값을 언제 신뢰할 수 있는지와 요청해야 할 근거를 정리했습니다.
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2026-10-19
핀 호환성을 넘어: 대체 아날로그 IC를 검증하는 방법
시험 조건 비교, 전체 신호 경로 검증, 근거와 담당자 기록으로 대체 아날로그 IC의 적용 승인 범위를 정하는 실무 절차입니다.
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2026-10-18
배터리 저장장치용 실리콘–SiC 하이브리드 모듈: 효율 헤드라인이 말해 주지 않는 것
배터리 저장 인버터 설계에서 최고 효율 수치는 출발점일 뿐입니다. 하이브리드 SiC 모듈의 구성, 효율 경계의 위치, 공급사에 요청할 증거를 정리했습니다.
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2026-10-16
RF 시스템을 뒷받침하는 아날로그 및 전원 IC: 바이어스, 공급, 모니터링, 보호
RF 증폭기 모듈에는 RF 포트와 별도의 전원 핀이 있습니다. 이 글은 여섯 가지 회로 기능을 보통 이를 맡는 아날로그 및 전원 IC 종류에 대응시키고, 각 기능마다 확인할 측정 하나와 고장 질문 하나를 제시합니다.
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2026-10-15
HTCC vs LTCC: 세라믹 패키지 선택을 위한 실무 가이드
HTCC vs LTCC 선택은 세라믹, 도체, 조립 방식 전체의 조합에 달려 있습니다. 전기 손실, 열 전달, 밀봉, 생산 근거를 비교하는 방법을 정리했습니다.
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2026-10-14
CPU, GPU, NPU, LPU, TPU: AI 워크로드부터 맞추고 시스템을 그려 보기
다섯 가지 프로세서 이름은 서로 겹칩니다. AI 워크로드에서 출발해 소프트웨어와 메모리를 확인하고, 누가 설계·제조·패키징·테스트하는지 그려 보세요.
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2026-10-12
베어 다이, QFN, 플랜지? RF 모듈 패키징 선택과 중국 소싱 시 확인할 사항
패키지 이름이 아니라 RF 기능에서 출발하십시오. 베어 다이, QFN, 플랜지 하우징을 비교하고, GaN 바이어스 순서와 열 경로, 공급업체에 요청할 증거를 정리했습니다.
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2026-10-10
CPU·GPU VRM 쉽게 이해하기: DrMOS, 페이즈, TLVR은 어떻게 함께 동작할까
CPU·GPU VRM은 DrMOS 파워 스테이지만으로 이루어지지 않습니다. 컨트롤러, 페이즈, 인덕터, 커패시터가 어떻게 함께 동작하는지, 부하가 급변할 때 전압이 왜 흔들리는지, TLVR이 무엇을 바꾸는지 설명합니다.
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2026-10-08
웨이퍼 테스트에서 최종 테스트까지: 아날로그 IC 생산 인계 계획하기
아날로그 IC 생산 인계를 계획하는 방법: 웨이퍼 테스트와 최종 테스트가 각각 다루는 범위, 트림 단계와 패키지 응력이 중요한 이유, 증거·담당·출하 승인 결정을 위한 제안 체크리스트.
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2026-10-05
방사선 내성 IC: 소자·보호 대책·임무 근거를 연결하는 방법
방사선 내성 IC를 고를 때 TID, 변위 손상, 단일 사건 효과를 각각 어떤 근거로 검토하고, 회로 허용 범위와 복구 계획에 어떻게 연결할지 정리합니다.
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2026-10-02
바이오센싱 AFE: 측정에 맞는 칩을 선택하는 방법
바이오센싱 아날로그 프런트엔드는 센서의 전기적 출력에 맞아야 합니다. ECG 전압, 생체 임피던스 자극, 전기화학 전류 경로를 비교하고 부품 선정 점검 항목을 확인합니다.
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2026-09-25
AI 데이터센터 액체 냉각: 안정적 운용을 뒷받침하는 아날로그 IC
AI 서버 액체 냉각에서 센싱, 신호 컨디셔닝, 구동기 피드백을 바탕으로 아날로그 인터페이스를 선정하고 고장 대응을 검증하는 방법을 살펴봅니다.
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2026-09-15
DrMOS 파워 스테이지: 선정 전 확인할 네 가지
DrMOS의 인터페이스, 스위칭 동작, 텔레메트리와 보호 기능, 보드 열 성능을 검토하는 네 가지 선정 기준입니다.
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2026-09-08
메가와트 충전이 바꾸는 안전 설계의 경계: 실리콘 통합 범위는 어디까지인가?
메가와트 충전 안전은 더 큰 커넥터만의 문제가 아니다. 센싱, 절연, 열, 셧다운 기능의 통합 경계를 살펴본다.
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2026-09-01
EV 온보드 충전기 기술: 다음 도약은 시스템에서 나온다
EV 온보드 충전기 기술은 양방향 아키텍처, SiC/GaN 스위칭, 제어, 절연, 열 공동 설계로 발전하고 있다.
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2026-08-28
인버터 제어 IC: 스위치 뒤의 전력 아날로그 스택
인버터 제어 IC는 스위치 브리지 주변에서 센싱, 게이트 구동, 보호, 바이어스, 텔레메트리를 담당한다.
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2026-08-27
48 V에서 AI 코어까지: 변환 경계가 IC 문제가 되는 지점
48 V AI 랙 전력은 중간 버스 유지, 가속기 인접 고변환비 변환, 패키지 인접 공급 사이의 경계 결정이 되고 있다.
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2026-08-19
하나의 절연 장벽, 서로 다른 네 가지 게이트 구동 문제
절연 정격은 각각 다른 질문에 답한다. 각 정격의 목적을 정리한 표와 날짜가 명시된 데이터시트 읽기 한 가지를, IGBT, SiC, 슈퍼정션 MOSFET, GaN 단의 서로 다른 게이트 구동 요구와 함께 다룬다.
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2026-08-18
정전 척 전원장치: 웨이퍼 아래의 고전압 제어 문제
정전 척 전원은 kV 소스 이상이다. 클램프·해제 파형, 저전류 센싱, RF 공존, 고장 처리가 아키텍처를 좌우한다.
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2026-08-14
피에조 드라이버 IC는 하나의 시장이 아니다
피에조 햅틱, 나노포지셔닝, 초음파 세정, 잉크젯, 의료 초음파는 서로 다른 IC 아키텍처를 요구한다.
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2026-08-11
솔리드 스테이트 변압기가 실제 전력 IC 기회를 만드는 영역
SST 수요는 하나의 변압기 칩이 아니라 SiC 모듈, 절연 게이트 드라이버, 센싱, 바이어스, 보호, 제어에서 생긴다.
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2026-08-08
HVAC 성장이 실제로 반도체 기회를 만드는 영역
HVAC 성장의 강력한 반도체 기회는 인버터 게이트 드라이버, PFC, 모터 제어, 센싱, 보호에 있다.
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2026-08-07
전력 또는 아날로그 공정이 팹을 옮길 때 무엇을 다시 입증해야 하는가?
마스크와 레시피는 이동할 수 있지만 제조 동작, 모델, 신뢰성, 시험, 경로 릴리스 증거는 다시 확립해야 한다.
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2026-08-02
AI 데이터 센터 인터커넥트: 구리, 플러거블 광학, LPO, CPO, 광 I/O의 위치
구리가 유리한 곳과 광섬유가 필요한 곳, 플러거블 광학·LPO·CPO·광 I/O가 시스템 책임을 바꾸는 방식을 살펴본다.
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2026-07-28
48 V AI 서버 eFuse 내부: 80 V급 보호가 여전히 중요한 이유
48/54 V AI 서버 입력에서 통합 eFuse와 외부 MOSFET 핫스왑 컨트롤러는 SOA, 열, 고장 타이밍, 텔레메트리를 다르게 절충한다.
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2026-07-23
eVTOL을 넘어: 저고도 경제에서 전력 아날로그 IC가 적합한 영역
저고도 경제는 승객용 eVTOL을 넘어 산업용 UAV, 화물기, 도크, 충전기, 보호 배전, 진단 텔레메트리를 포함한다.
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2026-07-19
HV/HC 규모에서 스위치가 아니라 보호가 경쟁의 핵심이 된다
수 kV·수백 A 규모에서는 소자 속도뿐 아니라 DC 고장 에너지, 상시 손실, µs 보호 윈도, 하이브리드 구조, 패키징, 인증이 생존성을 좌우한다.
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2026-07-17
800 VDC에서 핫스왑은 AI 랙의 아날로그 제어 평면이 된다
800 VDC AI 랙에서 핫스왑이 돌입전류 제어, 신속한 고장 격리, 정밀 텔레메트리를 결합하는 아날로그 제어 경계가 되는 이유를 분석합니다.
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2026-07-13
고전압 아날로그를 위한 SOI와 BCD: 회로도 작성 전에 결정해야 할 선택
고전압 아날로그 IC의 SOI·BCD 공정 선택을 절연, 전압 스트레스, 열 경로, 패키지와 납품 조건의 관점에서 검토합니다.
자세히 보기 →아날로그 및 IC 설계 · 제조·패키징·테스트
2026-07-10
48V 랙에서 800V AI 팩토리까지: 맞춤형 아날로그·전력 IC가 데이터센터 스택에 다시 진입하는 지점
AI 인프라의 랙 전력 증가와 800 VDC 전환이 아날로그, 절연, 센싱, 보호, 게이트 드라이버, 전력제어 IC의 설계 공간을 다시 열고 있습니다.
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2026-07-09
OCS MEMS 드라이버 IC: 준정적 미러에 다른 아날로그 사고가 필요한 이유
ADI 32채널 고전압 DAC 드라이버 제품군의 수명주기 전환과 구동전류·안정화 차이가 OCS MEMS 미러 설계에 주는 의미를 검토합니다.
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2026-07-07
반도체 생태계의 그래핀: 무엇이 실제이고 무엇이 아니며, 기회는 실제로 어디에 있는가
대부분의 상용 ‘그래핀’ 제품은 단층 CVD 그래핀이 아니라 환원 그래핀 산화물이나 열분해 흑연입니다. 상용 생산에 진입한 두 응용 분야와 아직 실험실 연구에 머무는 BEOL 인터커넥트·로직 트랜지스터를 구분합니다.
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2026-07-05
고전압 IC가 세라믹 패키지로 이동하는 이유: 열, 절연, 그리고 실제 수요 고객
고전압만으로 세라믹 패키지가 필요한 것은 아닙니다. 고전류, 발열, 기밀성, 가혹환경, 장수명 신뢰성이 결합될 때 세라믹의 가치가 커집니다.
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2026-06-30
공동 패키징 광학과 IC 공급망: 무엇이 출하 중이고 무엇이 아직 샘플링 단계이며 전력 관리 기회는 실제로 어디에 있는가
공동 패키징 광학은 선도 영역에서 출하 중이지만 차세대 스위치와 다수의 시장 전망은 아직 로드맵 단계입니다. 실제 배치와 발표를 구분하고 AI 서버 및 CPO 전력 관리 기회의 근거와 성숙도를 비교합니다.
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2026-06-29
Navitas, NVIDIA와 800 VDC: 공개 근거로 확인할 수 있는 사실
Navitas의 NVIDIA 800 VDC 생태계 참여와 GaN·SiC 시연 하드웨어를 공개 근거로 살펴보고, 확인된 협력과 아직 입증되지 않은 양산 채택을 구분합니다.
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2026-06-14
로봇 관절용 GaN: 게이트 드라이버 시장의 경쟁이 예상보다 치열한 이유
TI·EPC의 GaN 로봇 관절 플랫폼을 검토하고, 전류 센싱·보호·회생 조율을 맡는 컴패니언 IC 가설에 필요한 고객 확인과 벤치 검증을 정리합니다.
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2026-06-07
3D 프린팅은 실제 시장이다. 전력 아날로그 IC 기회는 프린팅 물리에 달려 있다
3D 프린팅 시장은 성장하고 있지만 실제 전력 아날로그 IC 기회는 프린터 아키텍처, 프린트헤드 제어, 파형 소켓의 소유 주체에 따라 달라집니다.
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2026-02-08
업계 표준 가격 구조: MPW와 풀 마스크(NTO)
MPW와 풀마스크(NTO) 프로젝트의 파운드리 비용 산정 방식과 가격 구조를 설명합니다.
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2026-02-04
표준을 넘어: 중국 팹에서의 세 가지 운영 성과
WAT, SBL, PCN이라는 공통 표준을 중국 팹의 실제 운영 환경에 적용할 때 살펴볼 세 가지 사례를 소개합니다.
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